-
Для ноутбуков
DDR4
16 ГБ
8 ГБ
Samsung
Kingston
G.SKILL
Netac
Crucial
Acer
ADATA
AMD
Apacer
Goodram
HIKVISION
HP
Micron
Patriot
Team
Transcend
GEIL
Corsair
Dahua
Gigabyte
Huawei
Hynix
Kimtigo
Kingspec
Silicon-power
Supermicro
Valuetech
По умолчанию-
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 4800 МГц M323R1GB4BB0-CQK
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 293581
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 8 ГБ
- Тип: DDR5 DIMM
- ECC: Нет
- Частота: 4800 МГц
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В() отзывов140.46 BYN
-
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 M471A1K43DB1-CWE
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 280818
- Набор: 1 модуль
- Объем: 8 ГБ
- Тип: DDR4 SO-DIMM
- ECC: Нет
- Частота: 3200 МГц
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В() отзывов110.28 BYN
-
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M393A1K43DB2-CWE
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 302256
- Набор: 1 модуль
- Объем: 8 ГБ
- Тип: DDR4 DIMM Registered
- ECC: Да
- Частота: 3200 МГц
1 модуль, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В1 модуль, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В() отзывов196.71 BYN
-
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWE
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 253592
- Набор: 1 модуль
- Объем: 8 ГБ
- Тип: DDR4 DIMM
- ECC: Нет
- Частота: 3200 МГц
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В1 модуль, частота 3200 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В() отзывов91.67 BYN
-
Оперативная память Samsung 64ГБ DDR4 3200МГц M386A8K40DM2-CWE
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 305799
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 64 ГБ
- Тип: DDR4 DIMM Registered
- ECC: Да
- Частота: 3200 МГц
64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В() отзывов1121.27 BYN
-
Оперативная память Samsung 64ГБ DDR4 2666 МГц M386A8K40CM2-CTD6Q
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 305796
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 64 ГБ
- Тип: DDR4 DIMM Registered
- ECC: Да
- Частота: 2666 МГц
64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В() отзывов1323.42 BYN
-
Оперативная память Samsung 64GB DDR4 PC4-25600 M393A8G40BB4-CWE
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 305187
- Набор: 1 модуль
- Объем: 64 ГБ
- Тип: DDR4 DIMM Registered
- ECC: Да
- Частота: 3200 МГц
1 модуль, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В1 модуль, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В() отзывов836.06 BYN
-
Оперативная память Samsung 64GB DDR4 PC4-25600 M393A8G40AB2-CWE
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 111228
- Набор: 1 модуль
- Объем: 64 ГБ
- Тип: DDR4 DIMM Registered
- ECC: Да
- Частота: 3200 МГц
1 модуль, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В1 модуль, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В() отзывов799.53 BYN
-
Оперативная память Samsung 32ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц M425R4GA3BB0-CQK
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 314352
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 32 ГБ
- Тип: DDR5 SO-DIMM
- ECC: Нет
- Частота: 4800 МГц
32 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В32 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В() отзывов548.12 BYN
-
Оперативная память Samsung 32ГБ DDR5 5600 МГц M323R4GA3DB0-CWM
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 313629
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 32 ГБ
- Тип: DDR5 DIMM
- ECC: Нет
- Частота: 5600 МГц
32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В() отзывов543.24 BYN
-
Оперативная память Samsung 32ГБ DDR5 4800 МГц M324R4GA3BB0-CQK
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 313631
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 32 ГБ
- Тип: DDR5 DIMM Registered
- ECC: Да
- Частота: 4800 МГц
32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В() отзывов696.68 BYN
-
Оперативная память Samsung 32ГБ DDR5 4800 МГц M323R4GA3BB0-CQK
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 326437
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 32 ГБ
- Тип: DDR5 DIMM
- ECC: Нет
- Частота: 4800 МГц
32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В() отзывов487.23 BYN
-
Оперативная память Samsung 32ГБ DDR5 4800 МГц M321R4GA3BB6-CQK
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 305800
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 32 ГБ
- Тип: DDR5 DIMM Registered
- ECC: Да
- Частота: 4800 МГц
32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В() отзывов1203.24 BYN
-
Оперативная память Samsung 32GB DDR4 PC4-25600 M393A4K40EB3-CWE
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 246546
- Набор: 1 модуль
- Объем: 32 ГБ
- Тип: DDR4 DIMM Registered
- ECC: Да
- Частота: 3200 МГц
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В() отзывов461.96 BYN
-
Оперативная память Samsung 2x16GB DDR4 PC4-25600 M378A2G43AB3-CWE
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 314385
- Набор: 2 модуля
- Объем: 32 ГБ
- Тип: DDR4 DIMM
- ECC: Нет
- Частота: 3200 МГц
2 модуля, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В2 модуля, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В() отзывов152.01 BYN
-
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR4 3200 МГц M393A2K43FB3-CWE
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 313633
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 16 ГБ
- Тип: DDR4 DIMM Registered
- ECC: Да
- Частота: 3200 МГц
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В() отзывов265.03 BYN
-
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR4 3200 МГц M391A2K43DB1-CWE
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 314356
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 16 ГБ
- Тип: DDR4 DIMM
- ECC: Да
- Частота: 3200 МГц
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В() отзывов341.40 BYN
-
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR4 3200 МГц M391A2G43BB2-CWE
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 305801
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 16 ГБ
- Тип: DDR4 DIMM
- ECC: Да
- Частота: 3200 МГц
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В() отзывов372.47 BYN
-
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M393A2K43DB3-CWE
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 238139
- Набор: 1 модуль
- Объем: 16 ГБ
- Тип: DDR4 DIMM Registered
- ECC: Да
- Частота: 3200 МГц
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В() отзывов283.96 BYN
-
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M378A2K43EB1-CWE
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 145361
- Набор: 1 модуль
- Объем: 16 ГБ
- Тип: DDR4 DIMM
- ECC: Нет
- Частота: 3200 МГц
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В() отзывов170.74 BYN
-
Оперативная память Samsung 128ГБ DDR5 4800 МГц M321RAGA0B20-CWK
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 313632
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 128 ГБ
- Тип: DDR5 DIMM
- ECC: Нет
- Частота: 4800 МГц
128 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В128 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В() отзывов7651.44 BYN
-
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 4800 МГц M323R1GB4BB0-CQK
-