-
Для ноутбуков
DDR4
16 ГБ
8 ГБ
Samsung
Kingston
G.SKILL
Netac
Crucial
Acer
ADATA
AMD
Apacer
Goodram
HIKVISION
HP
Micron
Patriot
Team
Transcend
GEIL
Corsair
Dahua
Gigabyte
Huawei
Hynix
Kimtigo
Kingspec
Silicon-power
Supermicro
Valuetech
По умолчанию-
Оперативная память Samsung 96ГБ DDR5 5600 МГц M321RYGA0PB0-CWM
Нет в наличии
ID товара: 355800
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 96 ГБ
- Тип: DDR5 DIMM Registered
- ECC: Да
- Частота: 5600 МГц
96 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В96 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В() отзывов2329.26 BYN
-
Оперативная память Samsung 96ГБ DDR5 4800 МГц M321RYGA0BB0-CQK
Нет в наличии
ID товара: 338491
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 96 ГБ
- Тип: DDR5 DIMM Registered
- ECC: Нет
- Частота: 4800 МГц
96 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В96 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В() отзывов2314.72 BYN
-
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц M425R1GB4BB0-CWMOD
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 359211
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 8 ГБ
- Тип: DDR5 SO-DIMM
- ECC: Нет
- Частота: 5600 МГц
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В() отзывов100.91 BYN
-
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 5600 МГц M323R1GB4PB0-CWM
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 335141
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 8 ГБ
- Тип: DDR5 DIMM
- ECC: Нет
- Частота: 5600 МГц
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В() отзывов173.57 BYN
-
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 4800 МГц M425R1GB4BB0-CQK
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 342620
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 8 ГБ
- Тип: DDR5 SO-DIMM
- ECC: Нет
- Частота: 4800 МГц
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В() отзывов102.51 BYN
-
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 4800 МГц M323R1GB4BB0-CQK
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 293581
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 8 ГБ
- Тип: DDR5 DIMM
- ECC: Нет
- Частота: 4800 МГц
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В() отзывов149.32 BYN
-
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц M471A1G44CB0-CWE
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 351923
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 8 ГБ
- Тип: DDR4 SO-DIMM
- ECC: Нет
- Частота: 3200 МГц
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В() отзывов91.50 BYN
-
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 M471A1K43EB1-CWE
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 337908
- Набор: 1 модуль
- Объем: 8 ГБ
- Тип: DDR4 SO-DIMM
- ECC: Нет
- Частота: 3200 МГц
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В() отзывов131.83 BYN
-
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M393A1K43DB2-CWE
Нет в наличии
ID товара: 302256
- Набор: 1 модуль
- Объем: 8 ГБ
- Тип: DDR4 DIMM Registered
- ECC: Да
- Частота: 3200 МГц
1 модуль, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В1 модуль, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В() отзывов216.57 BYN
-
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWE
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 253592
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 8 ГБ
- Тип: DDR4 DIMM
- ECC: Нет
- Частота: 3200 МГц
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В() отзывов86.52 BYN
-
Оперативная память Samsung 64ГБ DDR5 5600 МГц M321R8GA0PB0-CWM
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 352567
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 64 ГБ
- Тип: DDR5 DIMM Registered
- ECC: Да
- Частота: 5600 МГц
64 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В64 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В() отзывов1399.66 BYN
-
Оперативная память Samsung 64ГБ DDR5 4800 МГц M321R8GA0BB0-CQKZJ
Нет в наличии
ID товара: 333179
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 64 ГБ
- Тип: DDR5 DIMM
- ECC: Нет
- Частота: 4800 МГц
64 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.1 В64 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.1 В() отзывов1407.76 BYN
-
Оперативная память Samsung 64ГБ DDR5 4800 МГц M321R8GA0BB0-CQK
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 323619
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 64 ГБ
- Тип: DDR5 DIMM
- ECC: Нет
- Частота: 4800 МГц
64 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В64 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В() отзывов1365.08 BYN
-
Оперативная память Samsung 64ГБ DDR4 3200МГц M386A8K40DM2-CWE
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 305799
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 64 ГБ
- Тип: DDR4 DIMM Registered
- ECC: Да
- Частота: 3200 МГц
64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В() отзывов961.48 BYN
-
Оперативная память Samsung 64ГБ DDR4 3200 МГц M393A8G40CB4-CWE
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 351917
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 64 ГБ
- Тип: DDR4 DIMM Registered
- ECC: Нет
- Частота: 3200 МГц
64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В() отзывов694.56 BYN
-
Оперативная память Samsung 64ГБ DDR4 3200 МГц M393A8G40AB2-CWEC0
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 349450
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 64 ГБ
- Тип: DDR4 DIMM Registered
- ECC: Нет
- Частота: 3200 МГц
64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В() отзывов735.63 BYN
-
Оперативная память Samsung 64ГБ DDR4 2666 МГц M386A8K40CM2-CTD6Q
Нет в наличии
ID товара: 305796
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 64 ГБ
- Тип: DDR4 DIMM Registered
- ECC: Да
- Частота: 2666 МГц
64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В() отзывов316.40 BYN
-
Оперативная память Samsung 64GB DDR4 PC4-25600 M393A8G40BB4-CWE
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 305187
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 64 ГБ
- Тип: DDR4 DIMM Registered
- ECC: Да
- Частота: 3200 МГц
64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В() отзывов613.36 BYN
-
Оперативная память Samsung 64GB DDR4 PC4-25600 M393A8G40AB2-CWEBY
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 313039
- Набор: 1 модуль
- Объем: 64 ГБ
- Тип: DDR4 DIMM Registered
- ECC: Да
- Частота: 3200 МГц
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В() отзывов706.10 BYN
-
Оперативная память Samsung 64GB DDR4 PC4-25600 M393A8G40AB2-CWE
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 111228
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 64 ГБ
- Тип: DDR4 DIMM Registered
- ECC: Да
- Частота: 3200 МГц
64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В() отзывов714.09 BYN
-
Оперативная память Samsung 32ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц M425R4GA3BB0-CQK
Нет в наличии
ID товара: 314352
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 32 ГБ
- Тип: DDR5 SO-DIMM
- ECC: Нет
- Частота: 4800 МГц
32 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В32 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В() отзывов489.49 BYN
-
Оперативная память Samsung 32ГБ DDR5 5600 МГц M323R4GA3DB0-CWM
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 313629
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 32 ГБ
- Тип: DDR5 DIMM
- ECC: Нет
- Частота: 5600 МГц
32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В() отзывов496.06 BYN
-
Оперативная память Samsung 32ГБ DDR5 4800 МГц M324R4GA3BB0-CQK
Нет в наличии
ID товара: 313631
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 32 ГБ
- Тип: DDR5 DIMM Registered
- ECC: Да
- Частота: 4800 МГц
32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В() отзывов947.25 BYN
-
Оперативная память Samsung 32ГБ DDR5 4800 МГц M321R4GA3BB6-CQK
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 305800
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 32 ГБ
- Тип: DDR5 DIMM Registered
- ECC: Да
- Частота: 4800 МГц
32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В() отзывов615.72 BYN
-
Оперативная память Samsung 32ГБ DDR5 4800 МГц M321R4GA0BB0-CQK
Нет в наличии
ID товара: 313630
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 32 ГБ
- Тип: DDR5 DIMM Registered
- ECC: Нет
- Частота: 4800 МГц
32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В() отзывов694.57 BYN
-
Оперативная память Samsung 32ГБ DDR4 3200 МГц M393A4K40EB3-CWEGY
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 351918
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 32 ГБ
- Тип: DDR4 DIMM Registered
- ECC: Да
- Частота: 3200 МГц
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В() отзывов397.35 BYN
-
Оперативная память Samsung 32ГБ DDR4 3200 МГц M393A4G40BB3-CWE
Нет в наличии
ID товара: 351922
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 32 ГБ
- Тип: DDR4 DIMM Registered
- ECC: Да
- Частота: 3200 МГц
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В() отзывов389.56 BYN
-
Оперативная память Samsung 32ГБ DDR4 3200 МГц M391A4G43AB1-CWE
Нет в наличии
ID товара: 338492
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 32 ГБ
- Тип: DDR4 DIMM
- ECC: Да
- Частота: 3200 МГц
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В() отзывов995.08 BYN
-
Оперативная память Samsung 32GB DDR4 PC4-25600 M393A4K40EB3-CWE
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 246546
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 32 ГБ
- Тип: DDR4 DIMM Registered
- ECC: Да
- Частота: 3200 МГц
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В() отзывов358.83 BYN
-
Оперативная память Samsung 32GB DDR4 PC4-25600 M393A4K40DB3-CWE
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 305456
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 32 ГБ
- Тип: DDR4 DIMM Registered
- ECC: Да
- Частота: 3200 МГц
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21-32, напряжение 1.2 В32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21-32, напряжение 1.2 В() отзывов294.76 BYN
-
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R2GA3BB0-CWM
Нет в наличии
ID товара: 351919
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 16 ГБ
- Тип: DDR5 SO-DIMM
- ECC: Нет
- Частота: 5600 МГц
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В() отзывов242.30 BYN
-
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц M425R2GA3BB0-CQK
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 351074
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 16 ГБ
- Тип: DDR5 SO-DIMM
- ECC: Нет
- Частота: 4800 МГц
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В() отзывов211.90 BYN
-
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR5 5600 МГц M323R2GA3DB0-CWM
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 327347
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 16 ГБ
- Тип: DDR5 DIMM
- ECC: Нет
- Частота: 5600 МГц
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, напряжение 1.1 В16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, напряжение 1.1 В() отзывов183.94 BYN
-
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR5 4800 МГц M323R2GA3BB0-CQKOL
Нет в наличии
ID товара: 337907
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 16 ГБ
- Тип: DDR5 DIMM
- ECC: Нет
- Частота: 4800 МГц
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В() отзывов307.59 BYN
-
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR5 4800 МГц M321R2GA3BB6-CQK
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 326652
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 16 ГБ
- Тип: DDR5 DIMM
- ECC: Нет
- Частота: 4800 МГц
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В() отзывов363.26 BYN
-
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR4 3200 МГц M471A2K43EB1-CWE
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 305198
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 16 ГБ
- Тип: DDR4 SO-DIMM
- ECC: Нет
- Частота: 3200 МГц
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В() отзывов200.12 BYN
-
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR4 3200 МГц M393A2K43EB3-CWECO
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 339737
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 16 ГБ
- Тип: DDR4 DIMM
- ECC: Да
- Частота: 3200 МГц
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В() отзывов287.39 BYN
-
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR4 3200 МГц M393A2K40EB3-CWE
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 330119
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 16 ГБ
- Тип: DDR4 DIMM Registered
- ECC: Да
- Частота: 3200 МГц
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В() отзывов249.45 BYN
-
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR4 3200 МГц M391A2K43DB1-CWE
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 314356
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 16 ГБ
- Тип: DDR4 DIMM
- ECC: Да
- Частота: 3200 МГц
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В() отзывов370.03 BYN
-
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR4 3200 МГц M391A2G43BB2-CWE
Нет в наличии
ID товара: 305801
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 16 ГБ
- Тип: DDR4 DIMM
- ECC: Да
- Частота: 3200 МГц
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В() отзывов328.52 BYN
- 1
- 2
-
Оперативная память Samsung 96ГБ DDR5 5600 МГц M321RYGA0PB0-CWM
-