-
Для ноутбуков
DDR4
16 ГБ
8 ГБ
Samsung
Kingston
G.SKILL
Netac
Crucial
Acer
ADATA
AMD
Apacer
Goodram
HIKVISION
HP
Micron
Patriot
Team
Transcend
GEIL
Corsair
Dahua
Gigabyte
Huawei
Hynix
Kimtigo
Kingspec
Silicon-power
Supermicro
Valuetech
По умолчанию-
Оперативная память Samsung M471A1G44BB0-CWE
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 370161
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 8 ГБ
- Тип: DDR4 SO-DIMM
- ECC: Нет
- Частота: 3200 МГц
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В(0) отзывов218.59 BYN
-
Оперативная память Samsung M391A4G43BB1-CWEQY
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 390461
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 32 ГБ
- Тип: DDR4 DIMM Registered
- ECC: Да
- Частота: 3200 МГц
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-46, напряжение 1.2 В32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-46, напряжение 1.2 В(0) отзывов1784.80 BYN
-
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 5600 МГц M323R1GB4PB0-CWM
Нет в наличии
ID товара: 335141
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 8 ГБ
- Тип: DDR5 DIMM
- ECC: Нет
- Частота: 5600 МГц
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В(0) отзывов186.99 BYN
-
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 4800 МГц M425R1GB4BB0-CQK
Нет в наличии
ID товара: 342620
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 8 ГБ
- Тип: DDR5 SO-DIMM
- ECC: Нет
- Частота: 4800 МГц
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В(0) отзывов139.02 BYN
-
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц M471A1G44CB0-CWE
Нет в наличии
ID товара: 351923
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 8 ГБ
- Тип: DDR4 SO-DIMM
- ECC: Нет
- Частота: 3200 МГц
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В(0) отзывов167.72 BYN
-
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 M471A1K43EB1-CWE
Нет в наличии
ID товара: 337908
- Набор: 1 модуль
- Объем: 8 ГБ
- Тип: DDR4 SO-DIMM
- ECC: Нет
- Частота: 3200 МГц
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В(0) отзывов221.92 BYN
-
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWE
Нет в наличии
ID товара: 253592
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 8 ГБ
- Тип: DDR4 DIMM
- ECC: Нет
- Частота: 3200 МГц
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В(0) отзывов234.58 BYN
-
Оперативная память Samsung 64ГБ DDR5 5600 МГц M321R8GA0PB0-CWMJJ
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 413633
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 64 ГБ
- Тип: DDR5 DIMM Registered
- ECC: Да
- Частота: 5600 МГц
64 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 5600 МГц, CL 46T, напряжение 1.1 В64 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 5600 МГц, CL 46T, напряжение 1.1 В(0) отзывов4594.80 BYN
-
Оперативная память Samsung 64ГБ DDR5 5600 МГц M321R8GA0PB0-CWM
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 352567
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 64 ГБ
- Тип: DDR5 DIMM Registered
- ECC: Да
- Частота: 5600 МГц
64 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В64 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В(0) отзывов4911.73 BYN
-
Оперативная память Samsung 64ГБ DDR5 4800 МГц M321R8GA0BB0-CQKZJ
Нет в наличии
ID товара: 333179
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 64 ГБ
- Тип: DDR5 DIMM
- ECC: Нет
- Частота: 4800 МГц
64 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.1 В64 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.1 В(0) отзывов4163.25 BYN
-
Оперативная память Samsung 64ГБ DDR5 4800 МГц M321R8GA0BB0-CQK
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 323619
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 64 ГБ
- Тип: DDR5 DIMM
- ECC: Нет
- Частота: 4800 МГц
64 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В64 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В(0) отзывов5262.36 BYN
-
Оперативная память Samsung 64ГБ DDR4 3200МГц M386A8K40DM2-CWE
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 305799
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 64 ГБ
- Тип: DDR4 DIMM Registered
- ECC: Да
- Частота: 3200 МГц
64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В(0) отзывов2116.49 BYN
-
Оперативная память Samsung 64ГБ DDR4 3200 МГц M393A8G40CB4-CWE
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 351917
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 64 ГБ
- Тип: DDR4 DIMM Registered
- ECC: Нет
- Частота: 3200 МГц
64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В(0) отзывов2905.97 BYN
-
Оперативная память Samsung 64ГБ DDR4 3200 МГц M393A8G40AB2-CWEC0
Нет в наличии
ID товара: 349450
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 64 ГБ
- Тип: DDR4 DIMM Registered
- ECC: Нет
- Частота: 3200 МГц
64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В(0) отзывов2735.45 BYN
-
Оперативная память Samsung 64GB DDR4 PC4-25600 M393A8G40BB4-CWE
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 305187
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 64 ГБ
- Тип: DDR4 DIMM Registered
- ECC: Да
- Частота: 3200 МГц
64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В(0) отзывов3165.91 BYN
-
Оперативная память Samsung 64GB DDR4 PC4-25600 M393A8G40AB2-CWE
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 111228
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 64 ГБ
- Тип: DDR4 DIMM Registered
- ECC: Да
- Частота: 3200 МГц
64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В(0) отзывов2991.20 BYN
-
Оперативная память Samsung 32ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R4GA3BB0-CWM
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 349449
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 32 ГБ
- Тип: DDR5 SO-DIMM
- ECC: Нет
- Частота: 5600 МГц
32 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В32 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В(0) отзывов2137.47 BYN
-
Оперативная память Samsung 32ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц M425R4GA3BB0-CQK
Нет в наличии
ID товара: 314352
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 32 ГБ
- Тип: DDR5 SO-DIMM
- ECC: Нет
- Частота: 4800 МГц
32 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В32 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В(0) отзывов525.83 BYN
-
Оперативная память Samsung 32ГБ DDR5 5600 МГц M321R4GA3PB0-CWMXJ
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 413634
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 32 ГБ
- Тип: DDR5 DIMM Registered
- ECC: Да
- Частота: 5600 МГц
32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 5600 МГц, CL 46T, напряжение 1.1 В32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 5600 МГц, CL 46T, напряжение 1.1 В(0) отзывов2408.23 BYN
-
Оперативная память Samsung 32ГБ DDR5 5600 МГц M321R4GA3PB0-CWM
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 413563
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 32 ГБ
- Тип: DDR5 DIMM Registered
- ECC: Да
- Частота: 5600 МГц
32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 5600 МГц, CL 46T, напряжение 1.1 В32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 5600 МГц, CL 46T, напряжение 1.1 В(0) отзывов2352.92 BYN
-
Оперативная память Samsung 32ГБ DDR5 5600 МГц M321R4GA3EB0-CWM
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 413636
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 32 ГБ
- Тип: DDR5 DIMM Registered
- ECC: Да
- Частота: 5600 МГц
32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В(0) отзывов3010.30 BYN
-
Оперативная память Samsung 32ГБ DDR5 4800 МГц M321R4GA3BB6-CQK
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 305800
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 32 ГБ
- Тип: DDR5 DIMM Registered
- ECC: Да
- Частота: 4800 МГц
32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В(0) отзывов2933.64 BYN
-
Оперативная память Samsung 32ГБ DDR5 4800 МГц M321R4GA0BB0-CQK
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 313630
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 32 ГБ
- Тип: DDR5 DIMM Registered
- ECC: Нет
- Частота: 4800 МГц
32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В(0) отзывов2816.50 BYN
-
Оперативная память Samsung 32ГБ DDR4 3200 МГц M393A4K40EB3-CWEGY
Нет в наличии
ID товара: 351918
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 32 ГБ
- Тип: DDR4 DIMM Registered
- ECC: Да
- Частота: 3200 МГц
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В(0) отзывов1593.50 BYN
-
Оперативная память Samsung 32ГБ DDR4 3200 МГц M393A4G40BB3-CWEBY
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 413635
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 32 ГБ
- Тип: DDR4 DIMM Registered
- ECC: Да
- Частота: 3200 МГц
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В(0) отзывов1521.51 BYN
-
Оперативная память Samsung 32ГБ DDR4 3200 МГц M393A4G40BB3-CWE
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 351922
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 32 ГБ
- Тип: DDR4 DIMM Registered
- ECC: Да
- Частота: 3200 МГц
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В(0) отзывов2126.89 BYN
-
Оперативная память Samsung 32ГБ DDR4 3200 МГц M378A4G43AB2-CWE
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 305196
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 32 ГБ
- Тип: DDR4 DIMM
- ECC: Нет
- Частота: 3200 МГц
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В(0) отзывов1134.09 BYN
-
Оперативная память Samsung 32GB DDR4 PC4-25600 M393A4K40EB3-CWE
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 246546
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 32 ГБ
- Тип: DDR4 DIMM Registered
- ECC: Да
- Частота: 3200 МГц
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В(0) отзывов1303.19 BYN
-
Оперативная память Samsung 32GB DDR4 PC4-25600 M393A4K40DB3-CWE
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 305456
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 32 ГБ
- Тип: DDR4 DIMM Registered
- ECC: Да
- Частота: 3200 МГц
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21-32, напряжение 1.2 В32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21-32, напряжение 1.2 В(0) отзывов1961.13 BYN
-
Оперативная память Samsung 32GB DDR3 PC3-12800 M386B4G70DM0-YK0
Нет в наличии
ID товара: 373782
- Набор: 1 модуль
- Объем: 32 Гб
- Тип: DDR3 DIMM Registered
- ECC: Да
- Частота: 1600 МГц
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В(0) отзывов224.49 BYN
-
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R2GA3BB0-CWM
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 351919
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 16 ГБ
- Тип: DDR5 SO-DIMM
- ECC: Нет
- Частота: 5600 МГц
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В(0) отзывов1255.78 BYN
-
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR5 5600 МГц M323R2GA3DB0-CWM
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 327347
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 16 ГБ
- Тип: DDR5 DIMM
- ECC: Нет
- Частота: 5600 МГц
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, напряжение 1.1 В16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, напряжение 1.1 В(0) отзывов860.09 BYN
-
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR5 4800 МГц M321R2GA3BB6-CQK
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 326652
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 16 ГБ
- Тип: DDR5 DIMM
- ECC: Нет
- Частота: 4800 МГц
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В(0) отзывов1061.03 BYN
-
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR4 3200 МГц M471A2K43EB1-CWE
Нет в наличии
ID товара: 305198
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 16 ГБ
- Тип: DDR4 SO-DIMM
- ECC: Нет
- Частота: 3200 МГц
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В(0) отзывов425.67 BYN
-
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR4 3200 МГц M471A2G43AB2-CWE
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 395519
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 16 ГБ
- Тип: DDR4 SO-DIMM
- ECC: Нет
- Частота: 3200 МГц
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В(0) отзывов609.35 BYN
-
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR4 3200 МГц M393A2K43EB3-CWECO
Нет в наличии
ID товара: 339737
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 16 ГБ
- Тип: DDR4 DIMM
- ECC: Да
- Частота: 3200 МГц
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В(0) отзывов944.00 BYN
-
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR4 3200 МГц M393A2K40EB3-CWE
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 330119
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 16 ГБ
- Тип: DDR4 DIMM Registered
- ECC: Да
- Частота: 3200 МГц
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В(0) отзывов667.55 BYN
-
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR4 3200 МГц M391A2G43BB2-CWE
Нет в наличии
ID товара: 305801
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 16 ГБ
- Тип: DDR4 DIMM
- ECC: Да
- Частота: 3200 МГц
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В(0) отзывов724.35 BYN
-
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M393A2K43DB3-CWE
Резерв
ID товара: 354548
- Набор: 1 модуль
- Объем: 16 ГБ
- Тип: DDR4 DIMM Registered
- ECC: Да
- Частота: 3200 МГц
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В(0) отзывов1818.36 BYN
-
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M378A2K43EB1-CWE
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 145361
- Набор: 1 модуль
- Объем: 16 ГБ
- Тип: DDR4 DIMM
- ECC: Нет
- Частота: 3200 МГц
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В(0) отзывов446.14 BYN
- 1
- 2
-
Оперативная память Samsung M471A1G44BB0-CWE
-
Оперативная память Samsung
Быть в курсе актуальных новостей легко!