Оперативная память Samsung

Для ноутбуков

DDR4

16 ГБ

8 ГБ

Samsung

Kingston

G.SKILL

Netac

Crucial

Acer

ADATA

AMD

Apacer

Goodram

HIKVISION

HP

Micron

Patriot

Team

Transcend

GEIL

Corsair

Dahua

Gigabyte

Huawei

Hynix

Kimtigo

Kingspec

Silicon-power

Supermicro

Valuetech
По умолчанию
- Оперативная память Samsung M471A1G44BB0-CWE
  
  Нет в наличии
  
  ID товара: 370161
  Набор: 1 модуль
  
  Общий объем: 8 ГБ
  
  Тип: DDR4 SO-DIMM
  
  ECC: Нет
  
  Частота: 3200 МГц
  
  8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В
  8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В
  
  (0) отзывов
  
  250.73 BYN
  
  Вконтакте
- Оперативная память Samsung M391A4G43BB1-CWEQY
  
  Доставка в течение 2-3 дней
  
  ID товара: 390461
  Набор: 1 модуль
  
  Общий объем: 32 ГБ
  
  Тип: DDR4 DIMM Registered
  
  ECC: Да
  
  Частота: 3200 МГц
  
  32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-46, напряжение 1.2 В
  32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-46, напряжение 1.2 В
  
  (0) отзывов
  
  1769.52 BYN
  
  Вконтакте
- Оперативная память Samsung 96ГБ DDR5 5600 МГц M321RYGA0PB0-CWM
  
  Под заказ (поставка от 30 дней)
  
  ID товара: 355800
  Набор: 1 модуль
  
  Общий объем: 96 ГБ
  
  Тип: DDR5 DIMM Registered
  
  ECC: Да
  
  Частота: 5600 МГц
  
  96 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
  96 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
  
  (0) отзывов
  
  7732.74 BYN
  
  Вконтакте
- Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 4800 МГц M425R1GB4BB0-CQK
  
  Доставка в течение 2-3 дней
  
  ID товара: 342620
  Набор: 1 модуль
  
  Общий объем: 8 ГБ
  
  Тип: DDR5 SO-DIMM
  
  ECC: Нет
  
  Частота: 4800 МГц
  
  8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
  8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
  
  (0) отзывов
  
  613.27 BYN
  
  Вконтакте
- Оперативная память Samsung 8ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц M471A1G44CB0-CWE
  
  Нет в наличии
  
  ID товара: 351923
  Набор: 1 модуль
  
  Общий объем: 8 ГБ
  
  Тип: DDR4 SO-DIMM
  
  ECC: Нет
  
  Частота: 3200 МГц
  
  8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В
  8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В
  
  (0) отзывов
  
  357.95 BYN
  
  Вконтакте
- Оперативная память Samsung 64ГБ DDR5 5600 МГц M321R8GA0PB0-CWM
  
  Доставка в течение 2-3 дней
  
  ID товара: 352567
  Набор: 1 модуль
  
  Общий объем: 64 ГБ
  
  Тип: DDR5 DIMM Registered
  
  ECC: Да
  
  Частота: 5600 МГц
  
  64 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
  64 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
  
  (0) отзывов
  
  11001.62 BYN
  
  Вконтакте
- Оперативная память Samsung 64ГБ DDR5 4800 МГц M321R8GA0BB0-CQKZJ
  
  Доставка в течение 2-3 дней
  
  ID товара: 333179
  Набор: 1 модуль
  
  Общий объем: 64 ГБ
  
  Тип: DDR5 DIMM
  
  ECC: Нет
  
  Частота: 4800 МГц
  
  64 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.1 В
  64 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.1 В
  
  (0) отзывов
  
  10008.69 BYN
  
  Вконтакте
- Оперативная память Samsung 64ГБ DDR5 4800 МГц M321R8GA0BB0-CQK
  
  Доставка в течение 2-3 дней
  
  ID товара: 323619
  Набор: 1 модуль
  
  Общий объем: 64 ГБ
  
  Тип: DDR5 DIMM
  
  ECC: Нет
  
  Частота: 4800 МГц
  
  64 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В
  64 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В
  
  (0) отзывов
  
  10658.48 BYN
  
  Вконтакте
- Оперативная память Samsung 64ГБ DDR4 3200МГц M386A8K40DM2-CWE
  
  Доставка в течение 2-3 дней
  
  ID товара: 305799
  Набор: 1 модуль
  
  Общий объем: 64 ГБ
  
  Тип: DDR4 DIMM Registered
  
  ECC: Да
  
  Частота: 3200 МГц
  
  64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
  64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
  
  (0) отзывов
  
  3845.49 BYN
  
  Вконтакте
- Оперативная память Samsung 64ГБ DDR4 3200 МГц M393A8G40CB4-CWE
  
  Нет в наличии
  
  ID товара: 351917
  Набор: 1 модуль
  
  Общий объем: 64 ГБ
  
  Тип: DDR4 DIMM Registered
  
  ECC: Нет
  
  Частота: 3200 МГц
  
  64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
  64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
  
  (0) отзывов
  
  9250.55 BYN
  
  Вконтакте
- Оперативная память Samsung 64GB DDR4 PC4-25600 M393A8G40BB4-CWE
  
  Доставка в течение 2-3 дней
  
  ID товара: 305187
  Набор: 1 модуль
  
  Общий объем: 64 ГБ
  
  Тип: DDR4 DIMM Registered
  
  ECC: Да
  
  Частота: 3200 МГц
  
  64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В
  64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В
  
  (0) отзывов
  
  5326.34 BYN
  
  Вконтакте
- Оперативная память Samsung 64GB DDR4 PC4-25600 M393A8G40AB2-CWE
  
  Нет в наличии
  
  ID товара: 111228
  Набор: 1 модуль
  
  Общий объем: 64 ГБ
  
  Тип: DDR4 DIMM Registered
  
  ECC: Да
  
  Частота: 3200 МГц
  
  64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В
  64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В
  
  (0) отзывов
  
  5332.86 BYN
  
  Вконтакте
- Оперативная память Samsung 32ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R4GA3BB0-CWM
  
  Нет в наличии
  
  ID товара: 349449
  Набор: 1 модуль
  
  Общий объем: 32 ГБ
  
  Тип: DDR5 SO-DIMM
  
  ECC: Нет
  
  Частота: 5600 МГц
  
  32 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В
  32 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В
  
  (0) отзывов
  
  1747.18 BYN
  
  Вконтакте
- Оперативная память Samsung 32ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц M425R4GA3BB0-CQK
  
  Доставка в течение 2-3 дней
  
  ID товара: 314352
  Набор: 1 модуль
  
  Общий объем: 32 ГБ
  
  Тип: DDR5 SO-DIMM
  
  ECC: Нет
  
  Частота: 4800 МГц
  
  32 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
  32 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
  
  (0) отзывов
  
  1365.81 BYN
  
  Вконтакте
- Оперативная память Samsung 32ГБ DDR5 4800 МГц M321R4GA3BB6-CQK
  
  Доставка в течение 2-3 дней
  
  ID товара: 305800
  Набор: 1 модуль
  
  Общий объем: 32 ГБ
  
  Тип: DDR5 DIMM Registered
  
  ECC: Да
  
  Частота: 4800 МГц
  
  32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В
  32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В
  
  (0) отзывов
  
  5178.25 BYN
  
  Вконтакте
- Оперативная память Samsung 32ГБ DDR5 4800 МГц M321R4GA0BB0-CQK
  
  Доставка в течение 2-3 дней
  
  ID товара: 313630
  Набор: 1 модуль
  
  Общий объем: 32 ГБ
  
  Тип: DDR5 DIMM Registered
  
  ECC: Нет
  
  Частота: 4800 МГц
  
  32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
  32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
  
  (0) отзывов
  
  4524.17 BYN
  
  Вконтакте
- Оперативная память Samsung 32ГБ DDR4 3200 МГц M393A4K40EB3-CWEGY
  
  Нет в наличии
  
  ID товара: 351918
  Набор: 1 модуль
  
  Общий объем: 32 ГБ
  
  Тип: DDR4 DIMM Registered
  
  ECC: Да
  
  Частота: 3200 МГц
  
  32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
  32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
  
  (0) отзывов
  
  1803.88 BYN
  
  Вконтакте
- Оперативная память Samsung 32ГБ DDR4 3200 МГц M393A4G40BB3-CWE
  
  Доставка в течение 2-3 дней
  
  ID товара: 351922
  Набор: 1 модуль
  
  Общий объем: 32 ГБ
  
  Тип: DDR4 DIMM Registered
  
  ECC: Да
  
  Частота: 3200 МГц
  
  32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
  32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
  
  (0) отзывов
  
  3115.44 BYN
  
  Вконтакте
- Оперативная память Samsung 32ГБ DDR4 3200 МГц M378A4G43AB2-CWE
  
  Доставка в течение 2-3 дней
  
  ID товара: 305196
  Набор: 1 модуль
  
  Общий объем: 32 ГБ
  
  Тип: DDR4 DIMM
  
  ECC: Нет
  
  Частота: 3200 МГц
  
  32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
  32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
  
  (0) отзывов
  
  1530.45 BYN
  
  Вконтакте
- Оперативная память Samsung 32GB DDR4 PC4-25600 M393A4K40EB3-CWE
  
  Доставка в течение 2-3 дней
  
  ID товара: 246546
  Набор: 1 модуль
  
  Общий объем: 32 ГБ
  
  Тип: DDR4 DIMM Registered
  
  ECC: Да
  
  Частота: 3200 МГц
  
  32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
  32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
  
  (0) отзывов
  
  2575.90 BYN
  
  Вконтакте
- Оперативная память Samsung 32GB DDR4 PC4-25600 M393A4K40DB3-CWE
  
  Доставка в течение 2-3 дней
  
  ID товара: 305456
  Набор: 1 модуль
  
  Общий объем: 32 ГБ
  
  Тип: DDR4 DIMM Registered
  
  ECC: Да
  
  Частота: 3200 МГц
  
  32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21-32, напряжение 1.2 В
  32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21-32, напряжение 1.2 В
  
  (0) отзывов
  
  2524.96 BYN
  
  Вконтакте
- Оперативная память Samsung 16ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R2GA3BB0-CWM
  
  Доставка в течение 2-3 дней
  
  ID товара: 351919
  Набор: 1 модуль
  
  Общий объем: 16 ГБ
  
  Тип: DDR5 SO-DIMM
  
  ECC: Нет
  
  Частота: 5600 МГц
  
  16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
  16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
  
  (0) отзывов
  
  1080.19 BYN
  
  Вконтакте
- Оперативная память Samsung 16ГБ DDR5 5600 МГц M323R2GA3DB0-CWM
  
  Нет в наличии
  
  ID товара: 327347
  Набор: 1 модуль
  
  Общий объем: 16 ГБ
  
  Тип: DDR5 DIMM
  
  ECC: Нет
  
  Частота: 5600 МГц
  
  16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, напряжение 1.1 В
  16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, напряжение 1.1 В
  
  (0) отзывов
  
  869.94 BYN
  
  Вконтакте
- Оперативная память Samsung 16ГБ DDR5 4800 МГц M321R2GA3BB6-CQK
  
  Доставка в течение 2-3 дней
  
  ID товара: 326652
  Набор: 1 модуль
  
  Общий объем: 16 ГБ
  
  Тип: DDR5 DIMM
  
  ECC: Нет
  
  Частота: 4800 МГц
  
  16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В
  16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В
  
  (0) отзывов
  
  2445.89 BYN
  
  Вконтакте
- Оперативная память Samsung 16ГБ DDR4 3200 МГц M471A2G43AB2-CWE
  
  Нет в наличии
  
  ID товара: 395519
  Набор: 1 модуль
  
  Общий объем: 16 ГБ
  
  Тип: DDR4 SO-DIMM
  
  ECC: Нет
  
  Частота: 3200 МГц
  
  16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
  16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
  
  (0) отзывов
  
  627.53 BYN
  
  Вконтакте
- Оперативная память Samsung 16ГБ DDR4 3200 МГц M393A2K43EB3-CWECO
  
  Доставка в течение 2-3 дней
  
  ID товара: 339737
  Набор: 1 модуль
  
  Общий объем: 16 ГБ
  
  Тип: DDR4 DIMM
  
  ECC: Да
  
  Частота: 3200 МГц
  
  16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
  16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
  
  (0) отзывов
  
  1175.16 BYN
  
  Вконтакте
- Оперативная память Samsung 16ГБ DDR4 3200 МГц M393A2K40EB3-CWE
  
  Доставка в течение 2-3 дней
  
  ID товара: 330119
  Набор: 1 модуль
  
  Общий объем: 16 ГБ
  
  Тип: DDR4 DIMM Registered
  
  ECC: Да
  
  Частота: 3200 МГц
  
  16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В
  16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В
  
  (0) отзывов
  
  1175.16 BYN
  
  Вконтакте
- Оперативная память Samsung 16ГБ DDR4 3200 МГц M391A2G43BB2-CWE
  
  Нет в наличии
  
  ID товара: 305801
  Набор: 1 модуль
  
  Общий объем: 16 ГБ
  
  Тип: DDR4 DIMM
  
  ECC: Да
  
  Частота: 3200 МГц
  
  16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
  16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
  
  (0) отзывов
  
  1063.28 BYN
  
  Вконтакте
- Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M393A2K43DB3-CWE
  
  Доставка в течение 2-3 дней
  
  ID товара: 354548
  Набор: 1 модуль
  
  Объем: 16 ГБ
  
  Тип: DDR4 DIMM Registered
  
  ECC: Да
  
  Частота: 3200 МГц
  
  1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
  1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
  
  (0) отзывов
  
  1623.15 BYN
  
  Вконтакте
- Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M378A2K43EB1-CWE
  
  Доставка в течение 2-3 дней
  
  ID товара: 145361
  Набор: 1 модуль
  
  Объем: 16 ГБ
  
  Тип: DDR4 DIMM
  
  ECC: Нет
  
  Частота: 3200 МГц
  
  1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
  1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
  
  (0) отзывов
  
  645.35 BYN
  
  Вконтакте
- Оперативная память Samsung 16GB DDR3 PC3-14900 M393B2G70EB0-CMA
  
  Нет в наличии
  
  ID товара: 373783
  Набор: 1 модуль
  
  Объем: 16 ГБ
  
  Тип: DDR3 DIMM Registered
  
  ECC: Да
  
  Частота: 1866 МГц
  
  1 модуль, частота 1866 МГц, напряжение 1.5 В
  1 модуль, частота 1866 МГц, напряжение 1.5 В
  
  (0) отзывов
  
  143.66 BYN
  
  Вконтакте
- Оперативная память Samsung 128ГБ DDR5 4800 МГц M321RAGA0B20-CWK
  
  Доставка в течение 2-3 дней
  
  ID товара: 313632
  Набор: 1 модуль
  
  Общий объем: 128 ГБ
  
  Тип: DDR5 DIMM
  
  ECC: Нет
  
  Частота: 4800 МГц
  
  128 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В
  128 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В
  
  (0) отзывов
  
  19116.51 BYN
  
  Вконтакте
Фильтр

Цена

Производители

ADATA +99

AGI +10

AMD +85

ASUSTOR +2

Apacer +69

Corsair +4

Crucial +24

Dahua +7

Digma +31

G.Skill +230

GeIL +4

HP +8

HPE +1

Hiksemi +2

Huawei +1

Hynix +6

Infortrend +8

Innodisk +2

KingSpec +30

Kingston +293

Lyambda +1

Micron +11

Netac +72

Patriot +172

QNAP +5

Samsung × +32

Silicon-Power +1

Supermicro +4

Synology +8

Team +41

Transcend +1

ТМИ +6

Объём

1 ГБ

2 ГБ

4 ГБ

8 ГБ

16 ГБ 4

32 ГБ 2

64 ГБ 2

128 ГБ

Тип

DDR DIMM Registered

DDR2 DIMM

DDR2 SO-DIMM

DDR3 DIMM

DDR3 DIMM Registered 1

DDR3 SO-DIMM

DDR4 DIMM 4

DDR4 DIMM Registered 10

DDR4 SO-DIMM 3

DDR5 DIMM 6

DDR5 DIMM Registered 4

DDR5 SO-DIMM 4

Частота, МГц

200 МГц

667 МГц

800 МГц

1066 МГц

1333 МГц

1600 МГц

1866 МГц 1

2133 МГц

2400 МГц

2666 МГц

2933 МГц

3200 МГц 18

3600 МГц

3733 МГц

4000 МГц

4266 МГц

4600 МГц

4800 МГц 8

5200 МГц

5600 МГц 5

6000 МГц

6200 МГц

6400 МГц

6600 МГц

6800 МГц

7000 МГц

7200 МГц

7400 МГц

7600 МГц

7800 МГц

8000 МГц

8200 МГц

8400 МГц

8800 МГц

PC-индекс

PC-1600

PC2-5300

PC2-6400

PC3-10600

PC3-12800

PC3-14900 1

PC3-19200

PC3-8500

PC4-17000

PC4-17600

PC4-19200

PC4-21300

PC4-23400

PC4-24000

PC4-25600 17

PC4-26400

PC4-28800

PC4-29800

PC4-32000

PC4-34100

PC4-36800

PC4-38400

PC5-38400 8

PC5-41600

PC5-44800 5

PC5-48000

PC5-49600

PC5-51200

PC5-52800

PC5-54400

PC5-56000

PC5-57600

PC5-59200

PC5-60800

PC5-62400

PC5-64000

PC5-65600

PC5-67200

PC5-70400

Напряжение питания, В

1.1 В 13

1.2 В 18

1.25 В

1.3 В

1.35 В

1.4 В

1.45 В

1.5 В 1

1.55 В

1.6 В

1.8 В

Набор

Нет

1 модуль 32

2 модуля

4 модуля

CAS Latency

2

5

6

9

10

11

14

15

16

17

18

19

20

21 1

22 12

24

26

28

30

32

34

36

38

40 7

42

46 1

48

52

ECC

Нет 17

Да 15

Подсветка

Да

Нет 32

Охлаждение

Нет 32

Да
Категории

Быть в курсе актуальных новостей легко!