-
По умолчанию
-
Оперативная память Samsung 96ГБ DDR5 4800 МГц M321RYGA0BB0-CQK
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 338491
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 96 ГБ
- Тип: DDR5 DIMM Registered
- ECC: Нет
- Частота: 4800 МГц
96 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В96 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В() отзывов2502.78 BYN
-
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 5600 МГц M323R1GB4PB0-CWM
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 335141
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 8 ГБ
- Тип: DDR5 DIMM
- ECC: Нет
- Частота: 5600 МГц
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В() отзывов130.11 BYN
-
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 4800 МГц M425R1GB4BB0-CQK
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 342620
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 8 ГБ
- Тип: DDR5 SO-DIMM
- ECC: Нет
- Частота: 4800 МГц
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В() отзывов149.31 BYN
-
Оперативная память Samsung 8ГБ DDR5 4800 МГц M323R1GB4BB0-CQK
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 293581
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 8 ГБ
- Тип: DDR5 DIMM
- ECC: Нет
- Частота: 4800 МГц
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В() отзывов184.71 BYN
-
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-25600 M471A1K43EB1-CWE
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 337908
- Набор: 1 модуль
- Объем: 8 ГБ
- Тип: DDR4 SO-DIMM
- ECC: Нет
- Частота: 3200 МГц
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В() отзывов116.34 BYN
-
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M393A1K43DB2-CWE
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 302256
- Набор: 1 модуль
- Объем: 8 ГБ
- Тип: DDR4 DIMM Registered
- ECC: Да
- Частота: 3200 МГц
1 модуль, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В1 модуль, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В() отзывов235.85 BYN
-
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-25600 M378A1K43EB2-CWE
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 253592
- Набор: 1 модуль
- Объем: 8 ГБ
- Тип: DDR4 DIMM
- ECC: Нет
- Частота: 3200 МГц
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В1 модуль, частота 3200 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В() отзывов91.64 BYN
-
Оперативная память Samsung 64ГБ DDR5 4800 МГц M321R8GA0BB0-CQKZJ
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 333179
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 64 ГБ
- Тип: DDR5 DIMM
- ECC: Нет
- Частота: 4800 МГц
64 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.1 В64 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.1 В() отзывов1630.23 BYN
-
Оперативная память Samsung 64ГБ DDR5 4800 МГц M321R8GA0BB0-CQK
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 323619
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 64 ГБ
- Тип: DDR5 DIMM
- ECC: Нет
- Частота: 4800 МГц
64 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В64 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В() отзывов1536.66 BYN
-
Оперативная память Samsung 64ГБ DDR4 3200МГц M386A8K40DM2-CWE
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 305799
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 64 ГБ
- Тип: DDR4 DIMM Registered
- ECC: Да
- Частота: 3200 МГц
64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В() отзывов1148.26 BYN
-
Оперативная память Samsung 64ГБ DDR4 2666 МГц M386A8K40CM2-CTD6Q
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 305796
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 64 ГБ
- Тип: DDR4 DIMM Registered
- ECC: Да
- Частота: 2666 МГц
64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В() отзывов1177.25 BYN
-
Оперативная память Samsung 64GB DDR4 PC4-25600 M393A8G40BB4-CWE
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 305187
- Набор: 1 модуль
- Объем: 64 ГБ
- Тип: DDR4 DIMM Registered
- ECC: Да
- Частота: 3200 МГц
1 модуль, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В1 модуль, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В() отзывов885.10 BYN
-
Оперативная память Samsung 64GB DDR4 PC4-25600 M393A8G40AB2-CWEBY
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 313039
- Набор: 1 модуль
- Объем: 64 ГБ
- Тип: DDR4 DIMM Registered
- ECC: Да
- Частота: 3200 МГц
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В() отзывов893.16 BYN
-
Оперативная память Samsung 64GB DDR4 PC4-25600 M393A8G40AB2-CWE
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 111228
- Набор: 1 модуль
- Объем: 64 ГБ
- Тип: DDR4 DIMM Registered
- ECC: Да
- Частота: 3200 МГц
1 модуль, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В1 модуль, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В() отзывов885.10 BYN
-
Оперативная память Samsung 32ГБ DDR5 SODIMM 4800 МГц M425R4GA3BB0-CQK
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 314352
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 32 ГБ
- Тип: DDR5 SO-DIMM
- ECC: Нет
- Частота: 4800 МГц
32 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В32 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В() отзывов548.12 BYN
-
Оперативная память Samsung 32ГБ DDR5 4800 МГц M324R4GA3BB0-CQK
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 313631
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 32 ГБ
- Тип: DDR5 DIMM Registered
- ECC: Да
- Частота: 4800 МГц
32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В() отзывов1013.98 BYN
-
Оперативная память Samsung 32ГБ DDR5 4800 МГц M321R4GA3BB6-CQK
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 305800
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 32 ГБ
- Тип: DDR5 DIMM Registered
- ECC: Да
- Частота: 4800 МГц
32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В() отзывов732.86 BYN
-
Оперативная память Samsung 32ГБ DDR5 4800 МГц M321R4GA0BB0-CQK
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 313630
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 32 ГБ
- Тип: DDR5 DIMM Registered
- ECC: Нет
- Частота: 4800 МГц
32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В() отзывов779.79 BYN
-
Оперативная память Samsung 32GB DDR4 PC4-25600 M393A4K40EB3-CWE
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 246546
- Набор: 1 модуль
- Объем: 32 ГБ
- Тип: DDR4 DIMM Registered
- ECC: Да
- Частота: 3200 МГц
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В() отзывов453.90 BYN
-
Оперативная память Samsung 32GB DDR4 PC4-25600 M393A4K40DB3-CWE
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 305456
- Набор: 1 модуль
- Объем: 32 ГБ
- Тип: DDR4 DIMM Registered
- ECC: Да
- Частота: 3200 МГц
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21-32, напряжение 1.2 В1 модуль, частота 3200 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21-32, напряжение 1.2 В() отзывов459.62 BYN
-
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR5 4800 МГц M321R2GA3BB6-CQK
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 326652
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 16 ГБ
- Тип: DDR5 DIMM
- ECC: Нет
- Частота: 4800 МГц
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В() отзывов445.08 BYN
-
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR4 3200 МГц M471A2K43EB1-CWE
Нет в наличии
ID товара: 305198
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 16 ГБ
- Тип: DDR4 SO-DIMM
- ECC: Нет
- Частота: 3200 МГц
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В() отзывов218.78 BYN
-
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR4 3200 МГц M393A2K43EB3-CWECO
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 339737
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 16 ГБ
- Тип: DDR4 DIMM
- ECC: Да
- Частота: 3200 МГц
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В() отзывов365.67 BYN
-
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR4 3200 МГц M393A2K40EB3-CWE
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 330119
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 16 ГБ
- Тип: DDR5 DIMM
- ECC: Нет
- Частота: 3200 МГц
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В() отзывов291.98 BYN
-
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR4 3200 МГц M391A2K43DB1-CWE
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 314356
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 16 ГБ
- Тип: DDR4 DIMM
- ECC: Да
- Частота: 3200 МГц
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В() отзывов404.37 BYN
-
Оперативная память Samsung 16ГБ DDR4 3200 МГц M391A2G43BB2-CWE
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 305801
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 16 ГБ
- Тип: DDR4 DIMM
- ECC: Да
- Частота: 3200 МГц
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В() отзывов395.31 BYN
-
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M378A2K43EB1-CWE
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 145361
- Набор: 1 модуль
- Объем: 16 ГБ
- Тип: DDR4 DIMM
- ECC: Нет
- Частота: 3200 МГц
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В() отзывов165.53 BYN
-
Оперативная память Samsung 128ГБ DDR5 4800 МГц M321RAGA0B20-CWK
Доставка в течение 2-3 дней
ID товара: 313632
- Набор: 1 модуль
- Общий объем: 128 ГБ
- Тип: DDR5 DIMM
- ECC: Нет
- Частота: 4800 МГц
128 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В128 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В() отзывов4768.46 BYN
-
+375 (29) 2-028-028
Вконтакте
